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苹果公司申请鳍式场效晶体管技术中的半导体布局专利，能有效调节对晶体管闩锁和差信号完整性的防止量
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2025-01-03【科技前沿】175人已围观
简介金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，苹果公司申请一项名为“鳍式场效晶体管技术中的半导体布局“，公开号CN117542895A，申请日期为2018年7月。专利摘要显示，本公开涉及鳍式场效晶体管技术中的半导体布局。描述了用于将单元放置在集成电路中的系统、装置和方法。在各种实施方案中，集...
金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，苹果公司申请一项名为“鳍式场效晶体管技术中的半导体布局“，公开号CN117542895A，申请日期为2018年7月。
专利摘要显示，本公开涉及鳍式场效晶体管技术中的半导体布局。描述了用于将单元放置在集成电路中的系统、装置和方法。在各种实施方案中，集成电路被分成许多分区。在易受晶体管闩锁影响的第一组分区中，许多晶体管栅极条连接到一个功率轨，而不是保持浮空。对于所述第一分区中的阱连接单元，所述晶体管栅极条的长度被缩短，但是在易受差信号完整性影响的第二分区中被增加。一个或多个注入层形成在所述第一分区和所述第二分区中的每一者中的所述晶体管栅极条下面，以调节对晶体管闩锁和差信号完整性的防止量。在具有与至少一个源极区相同的掺杂极性的阱中形成的多个源极区中的至少一个源极区包括静电放电晶体管。
本文源自金融界
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