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扬杰科技申请一种平面肖特基PSBD产品腐蚀方法专利，能够将镍（Ni）及镍氧化物（NiXOY）去除干净，得到理想的金属形貌
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2025-01-29【行业发展】266人已围观
简介金融界2024年3月26日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种平面肖特基PSBD产品腐蚀方法“，公开号CN117766386A，申请日期为2023年11月。专利摘要显示，一种平面肖特基PSBD产品腐蚀方法，涉及半导体加工技术领域。本发明结构中不含有银（Ag），所...
金融界2024年3月26日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种平面肖特基PSBD产品腐蚀方法“，公开号CN117766386A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一种平面肖特基PSBD产品腐蚀方法，涉及半导体加工技术领域。本发明结构中不含有银（Ag），所以完全避免了芯片封装时银（Ag）离子迁移的问题；镍（Ni）作为表层金属带来的氧化问题，通过特定比例的混酸去除Ni金属的氧化物，在镍（Ni）表面再次发生氧化前将大部分的Ni去除，循环重复此操作过程，能够将镍（Ni）及镍氧化物（NiXOY）去除干净，得到理想的金属形貌。
本文源自金融界
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