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台积电取得半导体器件专利，金属氧化物半导体器件以小于第一深度的第二深度延伸至衬底中
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2025-04-15【科技前沿】31人已围观
简介金融界2024年4月8日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件“，授权公告号CN112216693B，申请日期为2020年7月。专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括衬底、金属氧化物半导体器件、和部件。金属氧化物半导体器件设置在衬底中。...
金融界2024年4月8日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件“，授权公告号CN112216693B，申请日期为2020年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括衬底、金属氧化物半导体器件、和部件。金属氧化物半导体器件设置在衬底中。所述部件设置成邻近金属氧化物半导体器件。所述部件以第一深度延伸至衬底中，金属氧化物半导体器件以小于第一深度的第二深度延伸至衬底中。
本文源自金融界
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