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三星取得半导体器件专利，半导体器件包括在第一方向和第二方向上布置在衬底上的多个下电极

智慧创新站 2025-04-15【科技前沿】255人已围观

简介金融界2024年4月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN113224059B，申请日期为2017年12月。专利摘要显示，一种半导体器件包括：在第一方向和第二方向上布置在衬底上的多个下电极，第一方向平行于衬底的主表面，第二方向平行于衬底的主表...

金融界2024年4月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN113224059B，申请日期为2017年12月。

专利摘要显示，一种半导体器件包括：在第一方向和第二方向上布置在衬底上的多个下电极，第一方向平行于衬底的主表面，第二方向平行于衬底的主表面且垂直于第一方向；以及支撑结构图案，其在衬底上被构造为将所述多个下电极彼此连接以支撑所述多个下电极，并且包括多个开口部分。所述多个开口部分具有在第二方向上比在第一方向上延伸得更长的形状，并且当从所述多个开口部分的内侧被观察时，所述多个开口部分在第一方向上凸出并且在第二方向上凹入。

本文源自金融界

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