您现在的位置是：首页 > 智能机电
北京大学申请非易失铁电半导体存储器及制备方法专利，能够提高存储密度，降低功耗，增强可靠性
智慧创新站
2025-04-21【智能机电】138人已围观
简介金融界2024年2月19日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“非易失铁电半导体存储器及制备方法“，公开号CN117560929A，申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本发明提供一种非易失铁电半导体存储器非易失铁电半导体存储器及制备方法，其中的存储器包括衬底、依次设置在衬底上方的控制...
金融界2024年2月19日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“非易失铁电半导体存储器及制备方法“，公开号CN117560929A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种非易失铁电半导体存储器非易失铁电半导体存储器及制备方法，其中的存储器包括衬底、依次设置在衬底上方的控制栅和存储栅；其中，在衬底上设置有源极和漏极，位于源极和漏极之间的衬底区域形成隔离源极和漏极的沟道；在沟道和存储栅之间设置有铁电层，存储栅用于向铁电层的上表面施加电压，以改变铁电层的极化状态；控制栅用于控制沟道导通或关闭；通过控制存储栅、源极、控制栅以及漏极的电压，实现数据的写入、读取以及擦除。利用上述发明能够提高存储密度，降低功耗，增强可靠性。
本文源自金融界
很赞哦!（185）
