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台积电取得制造半导体器件的方法及半导体器件专利，专利技术能实现在外延源极/漏极部件的部分上方形成硅化物层
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2025-01-11【行业发展】170人已围观
简介金融界2024年4月8日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“制造半导体器件的方法及半导体器件“，授权公告号CN113299743B，申请日期为2021年1月。专利摘要显示，方法包括提供结构，该结构包括：半导体衬底，位于半导体衬底上方的外延源极/漏极部件，以及位于外延...
金融界2024年4月8日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“制造半导体器件的方法及半导体器件“，授权公告号CN113299743B，申请日期为2021年1月。
专利摘要显示，方法包括提供结构，该结构包括：半导体衬底，位于半导体衬底上方的外延源极/漏极部件，以及位于外延源极/漏极部件上方的一个或多个介电层；在一个或多个介电层中蚀刻孔，以暴露外延源极/漏极部件的部分；在外延源极/漏极部件的部分上方形成硅化物层；在硅化物层上方形成导电阻挡层；以及对至少导电阻挡层应用等离子体清洁工艺，其中等离子体清洁工艺使用包括N。
本文源自金融界
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