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三星取得半导体器件专利，其包括顺序地设置在衬底上的底电极、电介质层和顶电极
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2025-04-18【创新技术】69人已围观
简介金融界2024年3月27日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“，授权公告号CN109216328B，申请日期为2018年7月。专利摘要显示，公开了一种半导体器件，其包括顺序地设置在衬底上的底电极、电介质层和顶电极。电介质层包括铪氧化物层和氧化籽晶层，铪氧化物层包含具...
金融界2024年3月27日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“，授权公告号CN109216328B，申请日期为2018年7月。
专利摘要显示，公开了一种半导体器件，其包括顺序地设置在衬底上的底电极、电介质层和顶电极。电介质层包括铪氧化物层和氧化籽晶层，铪氧化物层包含具有四方晶体结构的铪氧化物，氧化籽晶层包含氧化籽晶材料。氧化籽晶材料具有一晶格常数，该晶格常数与具有四方晶体结构的铪氧化物的水平晶格常数和垂直晶格常数中的一个拥有6％或更小的晶格失配。
本文源自金融界
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