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一文了解四边无引线扁平封装(QFN)与测试案列
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2024-11-10【科技前沿】171人已围观
简介以塑料为密封材料的新型表面贴芯片封装技术:四边无引线扁平封装(QFN)QFN主要用于集成电路封装,MOSFET不会采用。不过因Intel提出集成驱动和MOSFET该推出了采用方案QFN-56封装(“56”指芯片背面有56个连接Pin)的DrMOS。需要注意的是,QFN超薄小外形封装(TSSOP)外线...
以塑料为密封材料的新型表面贴芯片封装技术:四边无引线扁平封装(QFN)
QFN主要用于集成电路封装,MOSFET不会采用。不过因Intel提出集成驱动和MOSFET该推出了采用方案QFN-56封装(“56”指芯片背面有56个连接Pin)的DrMOS。
需要注意的是,QFN超薄小外形封装(TSSOP)外线配置相同,但尺寸比较大TSSOP的小62%。根据QFN建模数据,其热性能比TSSOP电气性能(电感和电容)比例提高55%TSSOP封装分别增加了60%和30%。最大的缺点是维修难度大。
QFN(QuadFlatNon-leadedpackage)封装的四面配置有电极连接。由于没有引线,粘贴显示面积比QFP小,高度比QFP特性低;其中陶瓷QFN也称为LCC(LeadlessChipCarriers),低成本塑料使用玻璃环氧树脂印刷基材QFN则称为塑料LCC,PCLC,P-LCC等。
采用QFN-56封装的DrMOS
传统的分立式DC/DC在高开关频率下,降压开关电源不能满足更高功耗密度的要求,也不能解决寄生参数的影响问题。
驱动器和MOSFET通过对驱动器和MOS优化管道,提高电能效率和质量DC电流是集成驱动IC的DrMOS。
经过QFN-56无脚封装,让DrMOS热阻抗很低;借助内导线键和铜夹带设计,可以最大限度地减少外部PCB布线,从而降低电感和电阻。
此外,采用深沟硅硅(trenchsilicon)MOSFET该工艺还可以显著减少传导、开关和网极的电荷损耗;它可以与多个控制器兼容,可以实现不同的工作模式,支持主动相变模式APS(AutoPhaseSwitching)。
除了QFN封装外,双侧平无引脚封装(DFN)它也是一种新型的电子包装工艺,在各种元器件中得到了广泛的应用。与QFN相比,DFN两侧的引出电极较少。
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