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长鑫存储申请半导体结构及其制作方法专利，减小了栅漏耦合电容对半导体结构的不良影响
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2025-03-16【创新技术】294人已围观
简介金融界2024年1月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”，公开号CN117352491A，申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，半导体结构包括衬底，具有有源区，有源区包括源区和漏区；栅极...
金融界2024年1月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”，公开号CN117352491A，申请日期为2022年6月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，半导体结构包括衬底，具有有源区，有源区包括源区和漏区；栅极，栅极设置于有源区上，位于源区和漏区之间；源极接触插塞，与源区连接；漏极接触插塞，与漏区连接；漏极接触插塞和源极接触插塞非对称设置，以减小栅漏耦合电容。本公开实施例所提供的半导体结构及其制作方法中，漏极接触插塞和源极接触插塞非对称设置，以使栅漏耦合电容小于栅源耦合电容，减小了栅漏耦合电容对半导体结构的不良影响，确保半导体结构具有良好的响应速度，缓解了半导体结构的响应延迟的问题。
本文源自金融界
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