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艾为电子申请自电容数据补偿专利,提高电容式传感器的精确性

智慧创新站 2025-01-24【科技前沿】281人已围观

简介金融界2024年3月11日消息,据国家知识产权局公告,上海艾为电子技术股份有限公司申请一项名为“自电容数据的补偿方法、装置、传感器、芯片和电子设备“,公开号CN117664207A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本申请涉及电容检测技术领域,公开了一种自电容数据的补偿方法、装置、传感器、芯...

金融界2024年3月11日消息,据国家知识产权局公告,上海艾为电子技术股份有限公司申请一项名为“自电容数据的补偿方法、装置、传感器、芯片和电子设备“,公开号CN117664207A,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,本申请涉及电容检测技术领域,公开了一种自电容数据的补偿方法、装置、传感器、芯片和电子设备,补偿方法包括:获取不同检测环境下,检测通道与驱动通道之间的互电容数据,以及各检测通道对应的自电容数据,互电容数据是各检测通道与各驱动通道之间的互电容数据的和。根据互电容数据和自电容数据,确定补偿数据。基于补偿数据和当前检测通道与驱动通道之间的互电容数据对各检测通道的当前自电容数据进行补偿,得到各检测通道的目标自电容数据。通过考虑到各检测通道与驱动电极之间的寄生电容的整体变化和各检测通道对地的寄生电容之间的关系,可以减少环境电容发生变化对人体接近情况或者触摸情况的判定的影响,提高电容式传感器的精确性。

本文源自金融界

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