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三星申请半导体器件专利，深度可以大于从栅电极的上表面到接触阻挡图案的上表面的深度
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2025-06-02【智能机电】76人已围观
简介金融界2024年4月9日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“，公开号CN117855248A，申请日期为2023年9月。专利摘要显示，一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上的第一片图案；栅电极，在衬底上并且围绕第一片图案；第一源/漏图案和第二源/漏图案，分别连接到第一...
金融界2024年4月9日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“，公开号CN117855248A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上的第一片图案；栅电极，在衬底上并且围绕第一片图案；第一源/漏图案和第二源/漏图案，分别连接到第一片图案的第一端和第二端；接触阻挡图案，在第二源/漏图案的下侧上；第一源/漏接触部，沿第一方向延伸并且连接到第一源/漏图案；以及第二源/漏接触部，连接到第二源/漏图案并且沿第一方向延伸以接触接触阻挡图案的上表面。从栅电极的上表面到第一源/漏接触部的最下部分的深度可以大于从栅电极的上表面到接触阻挡图案的上表面的深度。
本文源自金融界
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