IGBT——寄生电容和电感简述

首先，我们再来看一下IGBT的实际等效电路：

那我们应该如何来提取这些参数呢？

由于IGBT内部存在结电容，当对其施加一定dv/dt时，内部电容充、放电都会产生位移电流，这时即使IGBT栅极电压低于门槛电压处于关断的状态，在其端口也可以测量到内部电容的位移电流。对采用恒流源电路对关断下的IGBT栅极电容充电，分析其关断波形，利用基本的电工原理，可以提取得到IGBT栅极参数包括：电容CGS、COXD、门槛电压VT、跨导KP以及栅-漏极交叠面积AGD。

求解公式如下：

式中，AGD为栅-漏极交叠面积；εSi为硅的介电常数；q为电子电荷量；NB为基区掺杂浓度V为外加电压；VGS为栅极电压。

寄生电感，分别是各极的引线电感，等效分布电感图如下：

各寄生电感两端的电压均遵循电工基本原理，与电感值和电流变化率成正比，分别测量IGBT每个引脚两端的电压变化及电流变化率

变可以根据下式求得相应的寄生电感

L=ΔV/(di/dt)

杂散电感也是我们理解尖峰电压产生机理的关键所在。

很赞哦!（56）