二极管、三极管与运放芯片的状态判断

1、二极管

二极管有两个工作状态，分别是导通与截止。

导通时，电流不为0，其值取决于外电路，而两端电压基本不变，硅管为0.7V，锗管为0.2V，理想二极管为0V。

截止时，通过二极管的电流为0A，即二极管相当于断开。

判断二极管导通与截止的步骤是：先断开二极管，然后计算两个断点的电位差，即电压。若电压大于二极管的导通压降，则接入二极管后，二极管将导通。若电压小于二极管的导通压降，则接入二极管后，二极管是截止的，等同于没接。

注意，若断开二极管时两个断点电压大于二极管的导通压降，比如两个断点电压为2V，则接入二极管后，二极管导通，两点之间的电压变为二极管的导通压降，比如0.7V（Si）或0.2V（Ge），不再是2V，因为电路发生了改变。

稳压管是一个特殊的二极管，除了判断是否被反向击穿以外，还要判断其能否安全工作，即功耗要小于其最大功耗Pzm。

2、三极管

三极管有三个工作区，分别是截止、放大与饱和。

截止时，三极管电流均为零；放大时，ic=βib，且集电结反偏；饱和时，ic＜βib，且集电结正偏。深度饱和时，ic最大，uce数值最小，硅管为0.3V，锗管为0.1V。

判断三极管工作区的步骤是，首先看三极管的发射结加的电压是正偏还是反偏，反偏时三极管是截止的。若发射结正偏，且外加电压大于PN结的导通压降，则三极管导通。导通时三极管可能处于放大区，也可能处于饱和区。此时可假设三极管处于放大区，然后计算电流ic=βib和电压uce，若uce＞ube（以NPN为例），即集电结反偏，则三极管处于放大区，否则为饱和区，即假设错误。

3、运放芯片

运放芯片本质是一个采用差分电路作为第一级的多级放大电路。多级放大是为了提高放大倍数，采用差分电路作为第一级是为了抑制温漂，同时提高输入电阻。

运放芯片有两个工作区，分别是线性区与饱和区。

在线性区时，输出电压uo与差分输入(up-un)之间为线性关系，随着差分输入的变化而变化。在饱和区时，输出电压uo只有两个数值，而该值取决于差分输入的正负，与差分输入的大小无关。(up-un)＞0时，输出uo=+Uo(sat)；(up-un)＜0时，输出uo=-Uo(sat)。

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