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长鑫存储取得位线结构和半导体存储器专利，提高器件的感应裕度和充放电速度
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2025-02-07【科技前沿】285人已围观
简介金融界2023年12月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“位线结构和半导体存储器“，授权公告号CN113451270B，申请日期为2020年3月。专利摘要显示，本发明涉及一种位线结构和半导体存储器，所述位线结构包括第一位线阵列和第二位线阵列，第一位线阵列包括沿Y方向延伸...
金融界2023年12月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“位线结构和半导体存储器“，授权公告号CN113451270B，申请日期为2020年3月。
专利摘要显示，本发明涉及一种位线结构和半导体存储器，所述位线结构包括第一位线阵列和第二位线阵列，第一位线阵列包括沿Y方向延伸的多条第一位线，多条所述第一位线具有相同的长度，且沿X方向对齐排列；第二位线阵列包括沿所述Y方向延伸的多条第二位线，多条所述第二位线具有相同的长度，且沿所述X方向对齐排列；其中，所述第一位线阵列与所述第二位线阵列在所述X方向上不对齐，所述X方向与所述Y方向垂直。通过使所述第一位线阵列和所述第二位线阵列在所述X方向上不对齐，为位线接触结构在水平面内提供了更大的设置空间，从而可以扩大位线接触结构的横截面面积，进而减小位线接触结构和位线之间的接触电阻，提高器件的感应裕度和充放电速度。
本文源自金融界
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