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三星申请半导体装置专利,提供一种包括可变电阻图案的半导体装置和包括其的电子系统
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2025-01-08【科技前沿】239人已围观
简介金融界2024年3月22日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“包括可变电阻图案的半导体装置和包括其的电子系统“,公开号CN117750781A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,提供了一种包括可变电阻图案的半导体装置和包括其的电子系统。所述半导体装置包括:栅极线,在导电层...
金融界2024年3月22日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“包括可变电阻图案的半导体装置和包括其的电子系统“,公开号CN117750781A,申请日期为2023年7月。
专利摘要显示,提供了一种包括可变电阻图案的半导体装置和包括其的电子系统。所述半导体装置包括:栅极线,在导电层与导电垫之间彼此间隔开;以及沟道结构,延伸穿过栅极线。沟道结构包括:沟道区,限定柱状空间,并且包括与导电垫接触的第一沟道端以及与导电层接触的第二沟道端;以及可变电阻图案,包括外侧壁和第一端,外侧壁在水平方向上与栅极线之中的第一栅极线叠置且沟道区位于外侧壁与第一栅极线之间,第一端与沟道区的第一沟道端间隔开,并且可变电阻图案在水平方向上与栅极线之中的与导电垫相邻的至少一条第二栅极线不叠置。
本文源自金融界
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