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三星申请集成电路器件专利，实现鳍型有源区、沟道区、栅极线和源极/漏极区的集成设计
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2025-03-09【智能机电】212人已围观
简介金融界2023年12月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“集成电路器件“，公开号CN117199071A，申请日期为2023年6月。专利摘要显示，一种集成电路(IC)器件包括：鳍型有源区；沟道区，在鳍型有源区上；栅极线，在鳍型有源区上围绕沟道区；源极/漏极区，在鳍型有源区...
金融界2023年12月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“集成电路器件“，公开号CN117199071A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，一种集成电路(IC)器件包括：鳍型有源区；沟道区，在鳍型有源区上；栅极线，在鳍型有源区上围绕沟道区；源极/漏极区，在鳍型有源区上与栅极线相邻并具有面对沟道区的侧壁，其中源极/漏极区包括第一缓冲层、第二缓冲层和主体层，第一缓冲层、第二缓冲层和主体层在远离鳍型有源区的方向上依次堆叠，每个包括掺有p型掺杂剂的Si。
本文源自金融界
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