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高通公司申请低泄漏漏极编程ROM专利，实现漏极编程只读存储器的优化
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2025-04-13【创新技术】52人已围观
简介金融界2024年3月29日消息，据国家知识产权局公告，高通股份有限公司申请一项名为“低泄漏漏极编程ROM“，公开号CN117795603A，申请日期为2022年6月。专利摘要显示，一种漏极编程只读存储器包括扩散区，该扩散区跨越位单元的宽度，并且形成第一晶体管和第二晶体管的漏极。邻近该扩散区的金属层中...
金融界2024年3月29日消息，据国家知识产权局公告，高通股份有限公司申请一项名为“低泄漏漏极编程ROM“，公开号CN117795603A，申请日期为2022年6月。
专利摘要显示，一种漏极编程只读存储器包括扩散区，该扩散区跨越位单元的宽度，并且形成第一晶体管和第二晶体管的漏极。邻近该扩散区的金属层中的位线引线跨该位单元的宽度延伸。第一通孔从该位线引线的上半部延伸，并且耦合到该第一晶体管的漏极。类似地，第二通孔从该位线的下半部延伸，并且耦合到该第二晶体管的漏极。
本文源自金融界
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