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三星取得磁阻随机存取存储器件及其制造方法专利，该专利技术能实现制造MRAM器件
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2025-03-16【行业发展】113人已围观
简介金融界2024年4月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“磁阻随机存取存储器件及其制造方法“，授权公告号CN109713122B，申请日期为2018年10月。专利摘要显示，提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括：在基板的上表面上形成第一电极；在第一电极上形...
金融界2024年4月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“磁阻随机存取存储器件及其制造方法“，授权公告号CN109713122B，申请日期为2018年10月。
专利摘要显示，提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括：在基板的上表面上形成第一电极；在第一电极上形成第一磁性层；在第一磁性层上形成隧道势垒结构；在隧道势垒结构上形成第二磁性层；以及在第二磁性层上形成第二电极。隧道势垒结构可以包括第一隧道势垒层和第二隧道势垒层，第一隧道势垒层和第二隧道势垒层顺序地堆叠在第一磁性层上并且可以沿着可与基板的上表面平行的水平方向具有彼此不同的电阻率分布。
本文源自金融界
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