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晶合集成申请静态随机存取存储器单元的制备方法专利，提高静态随机存取存储器单元的静态噪声容限
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2025-05-10【行业发展】16人已围观
简介金融界2024年4月10日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“静态随机存取存储器单元的制备方法“，公开号CN117858496A，申请日期为2024年3月。专利摘要显示，本发明提供了一种静态随机存取存储器单元的制备方法，包括：提供衬底，衬底中形成有两个第一有源区、两...
金融界2024年4月10日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“静态随机存取存储器单元的制备方法“，公开号CN117858496A，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本发明提供了一种静态随机存取存储器单元的制备方法，包括：提供衬底，衬底中形成有两个第一有源区、两个第二有源区、两个第三有源区和沟槽隔离结构；形成两个下拉栅极结构、两个传输栅极结构和两个上拉栅极结构；执行第一离子注入工艺，形成第一源区、第一漏区、第二源区和第二漏区；形成图形化的掩模层覆盖第一有源区、第二有源区和第一有源区与第三有源区之间的沟槽隔离结构，以及覆盖第二漏区和传输栅极结构与第三有源区之间的沟槽隔离结构；执行第二离子注入工艺，形成第三源区和第三漏区；执行第三离子注入工艺，以降低第二源区的掺杂浓度。本发明提高静态随机存取存储器单元的静态噪声容限。
本文源自金融界
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